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200 V全碳化硅集成技术

顾勇 马杰 刘奥 黄润华 刘斯扬 柏松 张龙 孙伟锋

电子学报2024,Vol.52Issue(7):P.2183-2189,7.
电子学报2024,Vol.52Issue(7):P.2183-2189,7.DOI:10.12263/DZXB.20230782

200 V全碳化硅集成技术

顾勇 1马杰 1刘奥 2黄润华 2刘斯扬 1柏松 2张龙 1孙伟锋1

作者信息

  • 1. 东南大学集成电路学院,江苏南京210096
  • 2. 南京电子器件研究所,江苏南京210016
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅(SiC)/集成/碳化硅集成电路/碳化硅反相器/碳化硅横向扩散金属氧化物半导体

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

顾勇,马杰,刘奥,黄润华,刘斯扬,柏松,张龙,孙伟锋..200 V全碳化硅集成技术[J].电子学报,2024,52(7):P.2183-2189,7.

基金项目

国家自然科学基金(No.62274032,No.62174029) (No.62274032,No.62174029)

江苏省科技成果转化专项资金项目(No.BA2022005)~~。 (No.BA2022005)

电子学报

OA北大核心CSTPCD

0372-2112

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