200 V全碳化硅集成技术OA北大核心CSTPCD
本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物半导体(Laterally-Diffused MOS,LDMOS)以及高压二极管等器件.采用P型缓冲层技术调节器件垂直方向电场分布,使高压器件垂直方向耐受电压提高212.4%;在1μm厚度的P型缓冲层和1μm厚度的P型外延层上,实现LDMOS、高压二级管和高侧区域耐受电压大于300 V.基于该工艺平台,搭建了SiC CMOS反相器和反相器链电路,均实现了0~20 V轨至轨的电压输出;设计了半桥驱动电路,低压侧驱动电路由四阶反相器构成;高压侧驱动电路由电平移位电路和高侧区域反相器链电路组成,实现了180~200 V浮空栅极驱动信号输出.
顾勇;马杰;刘奥;黄润华;刘斯扬;柏松;张龙;孙伟锋;
东南大学集成电路学院,江苏南京210096南京电子器件研究所,江苏南京210016
电子信息工程
碳化硅(SiC)集成碳化硅集成电路碳化硅反相器碳化硅横向扩散金属氧化物半导体
《电子学报》 2024 (007)
P.2183-2189 / 7
国家自然科学基金(No.62274032,No.62174029);江苏省科技成果转化专项资金项目(No.BA2022005)~~。
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