真空电子技术Issue(4)：P.60-63,4.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2024.04.12
烧结温度对高纯氧化铝陶瓷结构与性能的影响
李海青 1于志强 1谭会会 1臧向荣 1彭子涵 1闫明1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第十二研究所,北京100015
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摘要
关键词
高纯氧化铝/流延/烧结温度/显微结构/性能分类
化学化工引用本文复制引用
李海青,于志强,谭会会,臧向荣,彭子涵,闫明..烧结温度对高纯氧化铝陶瓷结构与性能的影响[J].真空电子技术,2024,(4):P.60-63,4.
