电子学报2024，Vol.52Issue(7)：P.2161-2169,9.DOI:10.12263/DZXB.20230645
基于45 nm CMOS SOI工艺的毫米波双频段低相噪压控振荡器设计
摘要
关键词
互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺/压控振荡器/5G毫米波/双频段分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈喆,王品清,周培根,陈继新,洪伟..基于45 nm CMOS SOI工艺的毫米波双频段低相噪压控振荡器设计[J].电子学报,2024,52(7):P.2161-2169,9.基金项目
国家重点研发计划(No.2020YFB1804904) （No.2020YFB1804904）
国家自然科学基金(No.62188102,No.62171128)~~。 （No.62188102,No.62171128）
