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1500 V超结功率MOS器件优化与电容特性研究

种一宁李珏乔明

电子学报2024，Vol.52Issue(7)：P.2271-2278,8.

电子学报2024，Vol.52Issue(7)：P.2271-2278,8.DOI:10.12263/DZXB.20230845

种一宁 ¹李珏 ¹乔明²

作者信息

1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室,四川成都611731
2. 电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室,四川成都611731 电子科技大学广东电子信息工程研究院,广东东莞523950 电子科技大学(深圳)高等研究院,广东深圳518110
折叠

超结VDMOS/元胞/击穿电压/比导通电阻/寄生电容

信息技术与安全科学

种一宁,李珏,乔明..1500 V超结功率MOS器件优化与电容特性研究[J].电子学报,2024,52(7):P.2271-2278,8.

广东省基础与应用基础研究基金(No.2021B1515020031) （No.2021B1515020031）

国家自然科学基金(No.62174024) （No.62174024）

航空科学基金(No.201943080002)~~。（No.201943080002）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：0372-2112

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