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基于0.15μm-GaN工艺的输入输出谐波调谐高效率功率放大器设计

蔡奇 朱浩慎 曾丁元 王希瑶 薛泉 车文荃

电子学报2024，Vol.52Issue(7)：P.2320-2330,11.
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电子学报2024，Vol.52Issue(7)：P.2320-2330,11.DOI:10.12263/DZXB.20240026

基于0.15μm-GaN工艺的输入输出谐波调谐高效率功率放大器设计

蔡奇 1朱浩慎 2曾丁元 2王希瑶 3薛泉 2车文荃2

作者信息

  • 1. 南京邮电大学通信与信息工程学院,江苏南京210023 东南大学毫米波国家重点实验室,江苏南京211189
  • 2. 华南理工大学电子与信息学院,广东广州510641
  • 3. 南京邮电大学通信与信息工程学院,江苏南京210023
  • 折叠

摘要

关键词

漏极效率/氮化镓功放/二次和三次谐波调谐/输入谐波调谐

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

蔡奇,朱浩慎,曾丁元,王希瑶,薛泉,车文荃..基于0.15μm-GaN工艺的输入输出谐波调谐高效率功率放大器设计[J].电子学报,2024,52(7):P.2320-2330,11.

基金项目

国家重点研发计划(No.2018YFB1802000) （No.2018YFB1802000）

国家自然科学基金(No.62001242,No.62201280) （No.62001242,No.62201280）

东南大学毫米波国家重点实验室开放课题(No.K202321)~~。 （No.K202321）

电子学报

OA北大核心CSTPCD

0372-2112

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