基于纳米WO_(3)半导体材料的H_(2)气体传感器的研究现状OACSTPCD
【目的】梳理对氢气气体响应快、灵敏度高的气体传感器研究现状,为研究高灵敏度、高选择性、易制备的H2气体传感器提供思路。【研究现状】纳米WO_(3)材料作为N型半导体,具有宽带隙、热稳定性高、易合成等优点,广泛应用于气体传感器领域;WO_(3)基氢气传感器发展迅速,综述近年来国内外WO_(3)基氢气传感器的研究成果,概括WO_(3)材料氢气传感器制备技术、形貌特征、气敏性能的研究成果,总结上述成果的优势与现阶段的局限性;WO_(3)纳米材料由于独特的结构特性,存在多种提高其性能的方式,包括形貌控制、异质结构筑、贵金属掺杂;重点阐述WO_(3)纳米材料不同调整修饰技术的基本原理。【展望】WO_(3)基氢气传感器的发展势头较好,提升性能的方式灵活多样,制备出的传感器气敏性能优异,WO_(3)基氢气传感器在未来具有深厚的发展潜力。
徐红燕;李根;
济南大学材料科学与工程学院,山东济南250022
气体传感器氧化物半导体三氧化钨
《中国粉体技术》 2024 (005)
P.9-20 / 12
国家自然科学基金面上项目,编号:62171199。
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