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高频电源与活性屏离子渗氮对表面纳米化TC4钛合金渗氮层结合力的影响

高鸿 文凯 张乘玮 高岩

表面技术2024,Vol.53Issue(17):P.157-169,13.
表面技术2024,Vol.53Issue(17):P.157-169,13.DOI:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2024.17.014

高频电源与活性屏离子渗氮对表面纳米化TC4钛合金渗氮层结合力的影响

高鸿 1文凯 1张乘玮 1高岩1

作者信息

  • 1. 华南理工大学材料科学与工程学院,广州510641
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摘要

关键词

TC4钛合金/活性屏离子渗氮/高频电源/表面纳米化/结合力

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

高鸿,文凯,张乘玮,高岩..高频电源与活性屏离子渗氮对表面纳米化TC4钛合金渗氮层结合力的影响[J].表面技术,2024,53(17):P.157-169,13.

基金项目

国家自然科学基金项目(51871099)。 (51871099)

表面技术

OA北大核心CSTPCD

1001-3660

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