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电网二次设备自主芯片失效率预计方法及其验证

舒治淮 李仲青 王雨茜 喇军 景子洋 刘宇 薛安成

电网技术2024，Vol.48Issue(9)：P.3844-3851,8.
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电网技术2024，Vol.48Issue(9)：P.3844-3851,8.DOI:10.13335/j.1000-3673.pst.2023.1706

电网二次设备自主芯片失效率预计方法及其验证

舒治淮 1李仲青 2王雨茜 3喇军 3景子洋 3刘宇 1薛安成3

作者信息

  • 1. 国家电网有限公司国家电力调度控制中心,北京市西城区100031
  • 2. 中国电力科学研究院有限公司,北京市海淀区100192
  • 3. 新能源电力系统全国重点实验室(华北电力大学),北京市昌平区102206
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摘要

关键词

芯片/二次设备/Arrhenius模型/加速寿命试验/环境因子/失效率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

舒治淮,李仲青,王雨茜,喇军,景子洋,刘宇,薛安成..电网二次设备自主芯片失效率预计方法及其验证[J].电网技术,2024,48(9):P.3844-3851,8.

基金项目

国家重点研发计划项目(2021YFB2401000)。 （2021YFB2401000）

电网技术

OA北大核心CSTPCD

1000-3673

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