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高k栅介质的TDDB效应

任康 贡佳伟 丁俊贤 王磊 李广

安徽大学学报(自然科学版)2024,Vol.48Issue(5):P.52-56,5.
安徽大学学报(自然科学版)2024,Vol.48Issue(5):P.52-56,5.DOI:10.3969/j.issn.1000-2162.2024.05.009

高k栅介质的TDDB效应

任康 1贡佳伟 1丁俊贤 1王磊 1李广1

作者信息

  • 1. 安徽大学材料科学与工程学院,安徽合肥230601
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摘要

关键词

高k/栅介质/经时击穿效应/栅氧化层/HfO_(2)

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

任康,贡佳伟,丁俊贤,王磊,李广..高k栅介质的TDDB效应[J].安徽大学学报(自然科学版),2024,48(5):P.52-56,5.

基金项目

安徽省自然科学基金资助项目(1708085ME123,2208085J16) (1708085ME123,2208085J16)

安徽大学大学生创新创业训练计划项目(X202110357011)。 (X202110357011)

安徽大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSTPCD

1000-2162

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