高k栅介质的TDDB效应OA北大核心CSTPCD
半导体工艺进入45 nm以后,使用高k栅介质HfO_(2)代替传统的SiO_(2),解决了因栅氧化层变薄而引起的栅极漏电流过大的问题.经时击穿(time dependent dielectric breakdown,简称TDDB)效应的寿命时间是衡量栅氧化层质量的重要因素,然而高k栅介质存在更多的氧相关缺陷,对电压的反应更敏感,因此研究高k栅介质TDDB效应具有重要意义.研究影响高k栅介质TDDB效应的因素、减轻高k栅介质TDDB效应的途径.研究结果表明:栅氧化层面积越大,越容易被击穿,TDDB效应越严重;温度越高,击穿时间越短,TDDB效应越严重;氧环境下对高k栅介质进行沉积后退火,可减轻高k栅介质的TDDB效应.
任康;贡佳伟;丁俊贤;王磊;李广;
安徽大学材料科学与工程学院,安徽合肥230601
高k栅介质经时击穿效应栅氧化层HfO_(2)
《安徽大学学报（自然科学版）》 2024 (005)
P.52-56 / 5
安徽省自然科学基金资助项目(1708085ME123,2208085J16);安徽大学大学生创新创业训练计划项目(X202110357011)。
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