电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响OA北大核心CSTPCD
4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下对MOS样品进行30、50、100、500、1 000 kGy剂量的辐照,对辐照前、后样品进行深能级瞬态谱测试(DLTS)和电容-电压(C-V)曲线表征。DLTS实验结果表明,低剂量电子辐照前、后4H…查看全部>>
刘帅;熊慧凡;杨霞;杨德仁;皮孝东;宋立辉
浙江大学材料科学与工程学院,硅及先进半导体材料全国重点实验室,杭州310027 浙江大学杭州国际科创中心,先进半导体研究院和浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,杭州311200浙江大学材料科学与工程学院,硅及先进半导体材料全国重点实验室,杭州310027 浙江大学杭州国际科创中心,先进半导体研究院和浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,杭州311200浙江大学杭州国际科创中心,先进半导体研究院和浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,杭州311200 杭州电子科技大学材料与环境工程学院,杭州310018浙江大学材料科学与工程学院,硅及先进半导体材料全国重点实验室,杭州310027 浙江大学杭州国际科创中心,先进半导体研究院和浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,杭州311200浙江大学材料科学与工程学院,硅及先进半导体材料全国重点实验室,杭州310027 浙江大学杭州国际科创中心,先进半导体研究院和浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,杭州311200浙江大学材料科学与工程学院,硅及先进半导体材料全国重点实验室,杭州310027 浙江大学杭州国际科创中心,先进半导体研究院和浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,杭州311200
电子信息工程
4H-SiC MOS电子辐照缺陷变化双碳间隙原子深能级瞬态谱
《人工晶体学报》 2024 (9)
P.1536-1541,6
浙江大学杭州国际科创中心人才专项。