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利用Ti/Ag中间层实现金刚石与GaN的室温键合

乔冠中 李淑同 王越 刘金龙 陈良贤 魏俊俊 李成明

表面技术2024，Vol.53Issue(18)：P.175-182,8.
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表面技术2024，Vol.53Issue(18)：P.175-182,8.DOI:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2024.18.015

利用Ti/Ag中间层实现金刚石与GaN的室温键合

乔冠中 1李淑同 2王越 1刘金龙 2陈良贤 2魏俊俊 1李成明2

作者信息

  • 1. 北京科技大学新材料技术研究院,北京100083 北京科技大学顺德创新学院,广东佛山528399
  • 2. 北京科技大学新材料技术研究院,北京100083
  • 折叠

摘要

关键词

金刚石/氮化镓/Ti/Ag中间层/室温键合/金属间化合物

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

乔冠中,李淑同,王越,刘金龙,陈良贤,魏俊俊,李成明..利用Ti/Ag中间层实现金刚石与GaN的室温键合[J].表面技术,2024,53(18):P.175-182,8.

基金项目

国家自然科学基金(52172037) （52172037）

北京市自然科学基金(2212036) （2212036）

佛山市科技创新专项(BK21BE004)。 （BK21BE004）

表面技术

OA北大核心CSTPCD

1001-3660

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