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利用Ti/Ag中间层实现金刚石与GaN的室温键合OA北大核心CSTPCD

中文摘要

目的为了实现金刚石与GaN的良好键合,利用Ti/Ag中间层,在室温下开展了多晶金刚石与GaN的键合技术研究。方法首先,分别在抛光自支撑多晶金刚石晶圆以及GaN晶圆表面,通过磁控溅射依次沉积Ti黏附层、Ti/Ag梯度层以及纳米Ag层,形成Ti/Ag过渡层复合结构。然后通过真空键合系统成功实现了金刚石与Ga N键合。通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及X射线光电子能谱(XPS)等表征手段,对键合前后样品表面进…查看全部>>

乔冠中;李淑同;王越;刘金龙;陈良贤;魏俊俊;李成明

北京科技大学新材料技术研究院,北京100083 北京科技大学顺德创新学院,广东佛山528399北京科技大学新材料技术研究院,北京100083北京科技大学新材料技术研究院,北京100083 北京科技大学顺德创新学院,广东佛山528399北京科技大学新材料技术研究院,北京100083北京科技大学新材料技术研究院,北京100083北京科技大学新材料技术研究院,北京100083 北京科技大学顺德创新学院,广东佛山528399北京科技大学新材料技术研究院,北京100083

电子信息工程

金刚石氮化镓Ti/Ag中间层室温键合金属间化合物

《表面技术》 2024 (18)

P.175-182,8

国家自然科学基金(52172037)北京市自然科学基金(2212036)佛山市科技创新专项(BK21BE004)。

10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2024.18.015

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