太赫兹科学与电子信息学报2024，Vol.22Issue(9)：P.1044-1050,7.DOI:10.11805/TKYDA2023413
集成侧墙技术的80nm栅GaN HEMT
孔欣1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第二十九研究所,四川成都610036
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摘要
关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管/光学栅/侧墙/短沟道效应/深亚微米分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
孔欣..集成侧墙技术的80nm栅GaN HEMT[J].太赫兹科学与电子信息学报,2024,22(9):P.1044-1050,7.
