氮化镓基单片功率集成技术OA北大核心CSTPCD
GaN-Based Single-Chip Power Integration Technology
宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(AlGaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频应用领域的新型高性能电子器件.氮化镓基单片功率集成技术是减小寄生电感影响、提升集成电路开关速度、降低系统功耗和实现系统小型化的关键技术.该文围绕氮化镓单片功率集成技术,对p/n双极性沟道异质结外延结构、单片异质集成、全氮化…查看全部>>
The superior material properties with wide bandgap,large critical electric field,and high saturated electron velocity,in combination with the high density and high mobility two-dimensional electron gas induced at the AlGaN/GaN heterojunction by polarization discontinuity,and thus the related high electron mobility transistors,make GaN devices become new high performance electronic devices for next-generation power and RF applications.The demand for GaN…查看全部>>
周靖贵;陈匡黎;周琦;张波
电子科技大学集成电路科学与工程学院,成都 611731电子科技大学集成电路科学与工程学院,成都 611731电子科技大学集成电路科学与工程学院,成都 611731电子科技大学集成电路科学与工程学院,成都 611731
电子信息工程
氮化镓异质结二维电子气高电子迁移率晶体管氮化镓单片功率集成p沟道
GaNheterojunction2DEGHEMTsGaN single-chip power integrationp-channel
《电子科技大学学报》 2024 (5)
685-697,13
国家自然科学基金(62174019)广东省基础与应用基础研究项目(2021B1515140039,2024A1515012139)
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