基于InAs/GaAsSb超晶格的中红外波导探测器结构设计OA北大核心CSTPCD
Structural design of mid-infrared waveguide detectors based on InAs/GaAsSb superlattice
在近红外领域,已经利用片上波导和谐振器实现了分子的光谱检测.然而在中红外波段,许多传感器仍使用芯片外光源和探测器,这限制了化学传感芯片的集成度和灵敏度.本文设计了一种 InAs/GaAsSb 超晶格中红外波导集成探测器,采用 GaAsSb 作为中红外波导,波导层和 InAs/GaAsSb 超晶格吸收层之间采用倏逝波耦合方式,可以实现低损耗和高响应度的中红外光探测.对器件的光电特性进行了模拟,着重分析了InAs/GaAsSb 超晶格光电探测器与 G…查看全部>>
In the realm of near-infrared spectroscopy,the detection of molecules has been achieved using on-chip waveguides and resonators.In the mid-infrared band,the integration and sensitivity of chemical sensing chips are often constrained by the reliance on off-chip light sources and detectors.In this study,we demonstrate an InAs/GaAsSb superlattice mid-infrared waveguide integrated detector.The GaAsSb waveguide layer and the InAs/GaAsSb superlattice absorbing lay…查看全部>>
裴金狄;柴旭良;王昱彭;周易
国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院,浙江 杭州 310024国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院,浙江 杭州 310024国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院,浙江 杭州 310024国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院,浙江 杭州 310024||中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
电子信息工程
InAs/GaAsSb 超晶格波导探测器倏逝波耦合GaAsSb 波导
InAs/GaAsSb superlatticewaveguide detectorevanescent couplingGaAsSb waveguide
《红外与毫米波学报》 2024 (4)
457-463,7
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