PBn单极势垒型InAsSb光电探测器p型掺杂研究OA北大核心CSTPCD
Investigation on p-type doping of PBn unipolar barrier InAsSb photodetectors
在GaSb衬底上外延生长晶格匹配的XBn结构InAsSb具有高晶体质量,在高工作温度(HOT)下能够实现极低的暗电流.该结构具有优越的性能,在阻挡多数载流子的同时,不影响空穴传输.为了进一步探索XBn单极势垒结构的能带和载流子输运机理,系统地研究了掺杂对PBn结构InAsSb光电探测器的暗电流、光电流和隧穿特性的影响.制备了三个高质量InAsSb样品,吸收层(AL)均为非故意掺杂(UID),对接触层(CL)和势垒层(BL)进行不同浓度的p型掺杂.…查看全部>>
The lattice-matched XBn structures of InAsSb,grown on GaSb substrates,exhibit high crystal quali-ty,and can achieve extremely low dark currents at high operating temperatures(HOT).Its superior performance is attributed to the unipolar barrier,which blocks the majority carriers while allowing unhindered hole transport.To further explore the energy band and carrier transport mechanisms of the XBn unipolar barrier structure,this pa-per systematically investigat…查看全部>>
张健;戴欣冉;邓功荣;孔金丞;赵鹏;赵俊;常超;李红福;石玉娜;殷瀚翔;李艳辉;岳彪;王海澎;闫常善
昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223||北京理工大学 光学与光子学院 北京市混合现实与先进显示工程技术研究中心,北京 100081昆明物理研究所,云南 昆明 650223
物理学
铟砷锑PBnp型掺杂暗电流
InAsSbPBnp-type dopingdark current
《红外与毫米波学报》 2024 (4)
472-478,7
Supported by the Candidate Talents Training Fund of Yunnan Province(202205AC160054)the National Natural Science Foundation of China(62174156)
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