不同退火氛围下MgZnO-TFT的制备及其性能OA北大核心CSTPCD
Effect of atmosphere dependent annealing on the preparation and properties of MgZnO thin-film transistors
为探求退火氛围对镁锌氧化物薄膜晶体管性能的影响,本文采用射频磁控溅射法制备了MgZnO薄膜,并以其为沟道层构建了底栅顶接触结构的MgZnO-TFT器件.将所制备的MgZnO薄膜分别在空气、真空、氧气、氮气4种不同氛围下进行500℃、时长1 h的退火处理,通过原子力显微镜扫描(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)技术对薄膜进行表征分析,结果表明,在真空氛围下退火处理后,MgZnO薄膜质量较好,器件性能最佳,场效应迁移率为0.29 cm2·V-1·s…查看全部>>
To investigate the influence of annealing atmosphere on the performance of MgZnO-TFT,MgZnO thin films were prepared by radio frequency magnetron sputtering and used as the channel layer to construct a bottom-gate top-contact structure MgZnO-TFT device.The MgZnO thin films were subjected to annealing treatment at 500℃for 1 h in four different atmospheres,including air,vacuum,oxygen and nitrogen.Atomic force microscopy(AFM)and X-ray photoelectron spectroscopy(…查看全部>>
王超;郝云鹏;郭亮;杨帆;乔国光
吉林建筑大学 寒地建筑综合节能教育部重点实验室,吉林 长春 130118||吉林建筑大学 电气与计算机学院,吉林 长春 130118吉林建筑大学 寒地建筑综合节能教育部重点实验室,吉林 长春 130118||吉林建筑大学 电气与计算机学院,吉林 长春 130118吉林建筑大学 寒地建筑综合节能教育部重点实验室,吉林 长春 130118||吉林建筑大学 电气与计算机学院,吉林 长春 130118吉林建筑大学 寒地建筑综合节能教育部重点实验室,吉林 长春 130118||吉林建筑大学 电气与计算机学院,吉林 长春 130118吉林建筑大学 寒地建筑综合节能教育部重点实验室,吉林 长春 130118||纬湃汽车电子(长春)有限公司,吉林 长春 130033
电子信息工程
MgZnO-TFT退火氛围XPS稳定性
MgZnO-TFTannealing atmosphereXPS analysisstability
《液晶与显示》 2024 (10)
1295-1303,9
吉林省科技发展计划(No.YDZJ202301ZYTS489,No.20200201177JC)Supported by Science and Technology Development Plan of Jilin Province(No.YDZJ202301ZYTS489,No.20200201177JC)
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