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基于电阻补偿跨导放大器的忆阻电路

陈家辉 段志奎

佛山科学技术学院学报(自然科学版)2024,Vol.42Issue(5):18-25,8.
佛山科学技术学院学报(自然科学版)2024,Vol.42Issue(5):18-25,8.

基于电阻补偿跨导放大器的忆阻电路

A memristors circuit based on resistance compensated transconductance amplifier

陈家辉 1段志奎1

作者信息

  • 1. 佛山大学电子信息工程学院,广东佛山 528225
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摘要

Abstract

Memristors have unique memory characteristics and nonlinear features,making them widely used in non-volatile memory,neural networks,nonlinear systems and other fields.This article proposes an integrated memristor circuit that uses an operational transconductance amplifier and capacitive integrating circuit to achieve memristive behavior.The operational transconductance amplifier uses compensation resistors to increase bandwidth and achieve the purpose of expanding the operating frequency range.The memristor circuit proposed in this article is designed based on SMIC's 180 nm CMOS process,using a 0.9 V dual power supply,and can be fully integrated into the chip.The maximum operating frequency can reach 100 MHz,with a power consumption of 0.252 mW.

关键词

集成忆阻电路/宽频率/跨导放大器

Key words

integrated memristor circuit/wide frequency/transconductance amplifier

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈家辉,段志奎..基于电阻补偿跨导放大器的忆阻电路[J].佛山科学技术学院学报(自然科学版),2024,42(5):18-25,8.

基金项目

广东省普通高校重点实验室资助项目(2021KSYS008) (2021KSYS008)

佛山科学技术学院学报(自然科学版)

1008-0171

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