电工技术学报2024，Vol.39Issue(18)：P.5719-5731,13.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.231170
一种连续函数描述的高精度SiC MOSFET模型
摘要
关键词
功率SiC MOSFET/电力电子器件建模/数学模型/收敛模型/高精度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
谭亚雄,张梦洋,刘元,吴建发..一种连续函数描述的高精度SiC MOSFET模型[J].电工技术学报,2024,39(18):P.5719-5731,13.基金项目
国家重点研发计划资助项目(2018YFB2100100)。 （2018YFB2100100）
