首页|期刊导航|桂林电子科技大学学报|具有高击穿电压和低关断态电流的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

具有高击穿电压和低关断态电流的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

马旺陈永和刘子玉杨叶孙远远

桂林电子科技大学学报2024，Vol.44Issue(2)：P.203-209,7.

桂林电子科技大学学报2024，Vol.44Issue(2)：P.203-209,7.DOI:10.16725/j.1673-808X.202291

马旺 ¹陈永和 ¹刘子玉 ¹杨叶 ¹孙远远¹

作者信息

AlGaN/GaN HEMT/线性梯度AlGaN/3维空穴气/击穿电压

信息技术与安全科学

马旺,陈永和,刘子玉,杨叶,孙远远..具有高击穿电压和低关断态电流的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管[J].桂林电子科技大学学报,2024,44(2):P.203-209,7.

广西自然科学基金(2018GXNSFAA138025) （2018GXNSFAA138025）

广西科技计划(AD18281037)。（AD18281037）

ISSN：1673-808X

访问量0

下载量0

段落导航