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厚度对Cu/HfO_(2)/ITO器件阻变特性的影响

李琳琳 何木芬 吴枚霞 马垒 袁昌来

桂林电子科技大学学报2024,Vol.44Issue(3):P.316-322,7.
桂林电子科技大学学报2024,Vol.44Issue(3):P.316-322,7.DOI:10.16725/j.1673-808X.2024160

厚度对Cu/HfO_(2)/ITO器件阻变特性的影响

李琳琳 1何木芬 1吴枚霞 2马垒 1袁昌来1

作者信息

  • 1. 桂林电子科技大学材料科学与工程学院,广西桂林541004 桂林电子科技大学广西电子信息材料构效关系重点实验室,广西桂林541004
  • 2. 广东省科学院半导体研究所,广州510650
  • 折叠

摘要

关键词

二氧化铪薄膜/薄膜厚度/阻变特性/磁控溅射/传导机制

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李琳琳,何木芬,吴枚霞,马垒,袁昌来..厚度对Cu/HfO_(2)/ITO器件阻变特性的影响[J].桂林电子科技大学学报,2024,44(3):P.316-322,7.

基金项目

广西自然科学基金(2023GXNSFAA026382) (2023GXNSFAA026382)

广西科技计划项目(AB22080062) (AB22080062)

GDAS科技发展项目(2021GDASYL-20210102011) (2021GDASYL-20210102011)

广西信息材料重点实验室基金(221009-Z)。 (221009-Z)

桂林电子科技大学学报

1673-808X

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