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GaAs基底上制备圆孔阵列光栅及其影响因素研究

石铸 全保刚 阚强 胡放荣

桂林电子科技大学学报2024，Vol.44Issue(3)：P.323-330,8.
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桂林电子科技大学学报2024，Vol.44Issue(3)：P.323-330,8.DOI:10.16725/j.1673-808X.2021350

GaAs基底上制备圆孔阵列光栅及其影响因素研究

石铸 1全保刚 2阚强 3胡放荣1

作者信息

  • 1. 桂林电子科技大学电子工程与自动化学院,广西桂林541004
  • 2. 中国科学院物理研究所微加工实验室,北京100083
  • 3. 中国科学院半导体研究所材料重点实验室,北京100083
  • 折叠

摘要

关键词

泰尔伯特位移光刻曝光技术/光栅/反应离子蚀刻/电感耦合等离子蚀刻/半导体激光器

分类

数理科学

引用本文复制引用

石铸,全保刚,阚强,胡放荣..GaAs基底上制备圆孔阵列光栅及其影响因素研究[J].桂林电子科技大学学报,2024,44(3):P.323-330,8.

基金项目

国家自然科学基金(62065005,62003107) （62065005,62003107）

广西自然科学基金(2018GXNSFAA050043,2020GXNSFDA238019,2020GXNSFBA238012)。 （2018GXNSFAA050043,2020GXNSFDA238019,2020GXNSFBA238012）

桂林电子科技大学学报

1673-808X

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