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外电场下单层InSe电子结构的第一性原理计算

刘赵一 周刚 王智敏 赵维乐

桂林电子科技大学学报2024，Vol.44Issue(3)：P.304-309,6.
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桂林电子科技大学学报2024，Vol.44Issue(3)：P.304-309,6.DOI:10.16725/j.1673-808X.2022191

外电场下单层InSe电子结构的第一性原理计算

刘赵一 1周刚 2王智敏 1赵维乐1

作者信息

  • 1. 桂林电子科技大学材料科学与工程学院,广西桂林541004
  • 2. 桂林电子科技大学材料科学与工程学院,广西桂林541004 桂林电子科技大学广西电子信息材料构效关系重点实验室,广西桂林541004
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摘要

关键词

InSe/单层InSe/外电场/电子结构/第一性原理

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

刘赵一,周刚,王智敏,赵维乐..外电场下单层InSe电子结构的第一性原理计算[J].桂林电子科技大学学报,2024,44(3):P.304-309,6.

基金项目

国家自然科学基金(11764009)。 （11764009）

桂林电子科技大学学报

1673-808X

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