基于全波仿真和去嵌入测试相结合的ARM芯片PDN阻抗提取方法OA北大核心CSTPCD

为提取内部电路和材料信息未知的ARM芯片电源分配网络阻抗参数,将全波仿真与去嵌入测试相结合,提出了一种ARM芯片PDN阻抗提取方法.首先,设计出ARM芯片PDN阻抗测试夹具;其次,基于全波仿真,获取阻抗测试夹具的S参数;然后,采用去嵌入技术测试,获得ARM芯片PDN阻抗,并建立等效电路模型;最后,采用数字控制电路应用板,对该等效电路模型进行校验.结果表明:阻抗曲线的谐振频率仿真值和测试值分别为56.34和57.37 MHz;阻抗曲线仿真结果和测试结果在10~1000 MHz频段内具有较好的一致性,从而证明该方法能够准确提取贴片电子元件的阻抗参数.