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电子注入层迁移率对Rubrene/C60基发光二极管半带隙开启电压的调控

彭腾 王辉耀 赵茜 刘俊宏 汪波 王晶晶 周银琼 张可怡 杨俊 熊祖洪

物理学报2024，Vol.73Issue(21)：P.257-266,10.
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物理学报2024，Vol.73Issue(21)：P.257-266,10.DOI:10.7498/aps.73.20240864

电子注入层迁移率对Rubrene/C60基发光二极管半带隙开启电压的调控

彭腾 1王辉耀 1赵茜 1刘俊宏 1汪波 1王晶晶 1周银琼 1张可怡 1杨俊 1熊祖洪1

作者信息

  • 1. 西南大学物理科学与技术学院,微纳结构光电子学重庆市重点实验室,重庆400715
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摘要

关键词

有机发光二极管/半带隙开启特性/电子迁移率/三重态-三重态湮灭

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

彭腾,王辉耀,赵茜,刘俊宏,汪波,王晶晶,周银琼,张可怡,杨俊,熊祖洪..电子注入层迁移率对Rubrene/C60基发光二极管半带隙开启电压的调控[J].物理学报,2024,73(21):P.257-266,10.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:12474074)资助的课题。 （批准号:12474074）

物理学报

OA北大核心CSTPCD

1000-3290

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