中国电机工程学报2024，Vol.44Issue(20)：P.8201-8211,I0024,12.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.231120
SiC MOSFET改进关断瞬态模型研究
摘要
关键词
SiCMOSFET/关断瞬态改进模型/半桥电路/关断模式分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈月清,袁梦寒,郭希铮,焦健,游小杰..SiC MOSFET改进关断瞬态模型研究[J].中国电机工程学报,2024,44(20):P.8201-8211,I0024,12.基金项目
中央高校基本科研业务费专项资金(科技领军人才团队项目)(2022JBXT006)。 （科技领军人才团队项目）
