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增强型Cascode结构GaN HEMT器件中子辐照效应研究

周炜翔 曹荣幸 胡迪科 王义元 许灏炀 杨学林 陆雨鑫 王玉才 薛玉雄

航天器环境工程2024，Vol.41Issue(5)：P.617-624,8.
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航天器环境工程2024，Vol.41Issue(5)：P.617-624,8.DOI:10.12126/see.2024010

增强型Cascode结构GaN HEMT器件中子辐照效应研究

周炜翔 1曹荣幸 1胡迪科 2王义元 2许灏炀 1杨学林 3陆雨鑫 1王玉才 1薛玉雄4

作者信息

  • 1. 扬州大学电气与能源动力工程学院,扬州225127
  • 2. 上海宇航系统工程研究所,上海201109
  • 3. 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871
  • 4. 扬州大学电气与能源动力工程学院,扬州225127 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心,北京102413
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摘要

关键词

中子辐照/共源共栅结构/GaN HEMT器件/电学性能/Geant4仿真/TCAD仿真

分类

能源科技

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周炜翔,曹荣幸,胡迪科,王义元,许灏炀,杨学林,陆雨鑫,王玉才,薛玉雄..增强型Cascode结构GaN HEMT器件中子辐照效应研究[J].航天器环境工程,2024,41(5):P.617-624,8.

基金项目

国家重点研发计划项目(编号:2023YFB3611904)。 （编号:2023YFB3611904）

航天器环境工程

OACSTPCD

1673-1379

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