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一种基于Si/SiC级联H桥逆变器的高性能模型预测控制方法

郭子跃 全惠敏 彭子舜 戴瑜兴

电子学报2024，Vol.52Issue(9)：P.3000-3009,10.
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电子学报2024，Vol.52Issue(9)：P.3000-3009,10.DOI:10.12263/DZXB.20230094

一种基于Si/SiC级联H桥逆变器的高性能模型预测控制方法

郭子跃 1全惠敏 1彭子舜 2戴瑜兴2

作者信息

  • 1. 湖南大学电气与信息工程学院,湖南长沙410082
  • 2. 温州大学电气与电子工程学院,浙江温州325035
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅MOSFET/硅IGBT/级联H桥逆变器/开关损耗/模型预测控制

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郭子跃,全惠敏,彭子舜,戴瑜兴..一种基于Si/SiC级联H桥逆变器的高性能模型预测控制方法[J].电子学报,2024,52(9):P.3000-3009,10.

基金项目

浙江省博士后科研项目择优资助项目(No.ZX316000203)。 （No.ZX316000203）

电子学报

OA北大核心CSTPCD

0372-2112

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