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掺杂单层MoS_(2)电子结构与光催化性质的第一性原理计算

徐启远高朋刘正堂

原子与分子物理学报2025，Vol.42Issue(1)：P.35-40,6.

原子与分子物理学报2025，Vol.42Issue(1)：P.35-40,6.DOI:10.19855/j.1000-0364.2025.011006

徐启远 ¹高朋 ¹刘正堂²

作者信息

掺杂/单层二硫化钼/光催化/电子结构

物理学

徐启远,高朋,刘正堂..掺杂单层MoS_(2)电子结构与光催化性质的第一性原理计算[J].原子与分子物理学报,2025,42(1):P.35-40,6.

江西省教育厅科技项目(GJJ211821)。（GJJ211821）

OA北大核心

ISSN：1000-0364

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