|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|航空兵器|InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究综述

InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究综述

张翔宇 蒋洞微 贺雯 王金忠

航空兵器2024，Vol.31Issue(5)：P.41-49,9.
✕
航空兵器2024，Vol.31Issue(5)：P.41-49,9.DOI:10.12132/ISSN.1673-5048.2023.0207

InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究综述

张翔宇 1蒋洞微 2贺雯 1王金忠1

作者信息

  • 1. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨150001
  • 2. 中国科学院半导体研究所,北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

InAs/GaSb超晶格/湿法刻蚀/干法刻蚀/刻蚀机理/工艺优化

分类

军事科技

引用本文复制引用

张翔宇,蒋洞微,贺雯,王金忠..InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究综述[J].航空兵器,2024,31(5):P.41-49,9.

基金项目

国家自然科学基金青年基金项目(62004189) （62004189）

国家重点研发计划(2019YFA0705203) （2019YFA0705203）

航空科学基金项目(20182436004) （20182436004）

西北稀有金属材料研究院稀有金属特种材料国家重点实验室开放课题基金项目(SKL2023K00X)。 （SKL2023K00X）

航空兵器

OA北大核心CSTPCD

1673-5048

访问量12
|
下载量0
段落导航相关论文