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基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究

马玉麟 郭祥 丁召

原子与分子物理学报2025,Vol.42Issue(3):P.77-84,8.
原子与分子物理学报2025,Vol.42Issue(3):P.77-84,8.DOI:10.19855/j.1000-0364.2025.032004

基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究

马玉麟 1郭祥 1丁召1

作者信息

  • 1. 贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳550025
  • 折叠

摘要

关键词

MBE/Ga原子团簇/Ga源温度/沉积时长/退火时长

分类

数理科学

引用本文复制引用

马玉麟,郭祥,丁召..基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究[J].原子与分子物理学报,2025,42(3):P.77-84,8.

基金项目

国家自然科学基金(61564002) (61564002)

贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271和[2017]1055) (黔科合基础[2020]1Y271和[2017]1055)

半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07)) (ERCME-KFJJ2019-(07)

贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号)。 (贵大培育[2019]58号)

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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