原子与分子物理学报2025，Vol.42Issue(4)：P.147-155,9.DOI:10.19855/j.1000-0364.2025.046004
二维GaN中带电缺陷性质的第一性原理研究
摘要
关键词
二维GaN/第一性原理/带电缺陷/理论计算分类
数理科学引用本文复制引用
罗子江,毛淇,陈志涛,李改,刘雪飞,王继红..二维GaN中带电缺陷性质的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2025,42(4):P.147-155,9.基金项目
国家自然科学基金(11664005,62065003) （11664005,62065003）
顺德职业技术学院博士科研启动项目(KYQD019) （KYQD019）
广东省哲学社会科学规划项目(GD23XXW26) （GD23XXW26）
广东省教育厅普通高校科研项目重点领域专项(2023ZDZX1092)。 （2023ZDZX1092）
