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单轴应变对本征和N掺杂4H-SiC电子结构的影响

秦彦军 张建强 杨慧雅 方峥 范晓珍 邝富丽 叶慧群 方允樟

原子与分子物理学报2025，Vol.42Issue(3)：P.173-179,7.
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原子与分子物理学报2025，Vol.42Issue(3)：P.173-179,7.DOI:10.19855/j.1000-0364.2025.036007

单轴应变对本征和N掺杂4H-SiC电子结构的影响

秦彦军 1张建强 2杨慧雅 2方峥 3范晓珍 2邝富丽 2叶慧群 2方允樟2

作者信息

  • 1. 浙江师范大学物理与电子信息工程学院,金华321004 新疆理工学院理学院,阿克苏843100
  • 2. 浙江师范大学物理与电子信息工程学院,金华321004
  • 3. 浙江旅游职业学院,杭州311231
  • 折叠

摘要

关键词

4H-SiC/单轴应变/电子结构/第一性原理

分类

数理科学

引用本文复制引用

秦彦军,张建强,杨慧雅,方峥,范晓珍,邝富丽,叶慧群,方允樟..单轴应变对本征和N掺杂4H-SiC电子结构的影响[J].原子与分子物理学报,2025,42(3):P.173-179,7.

基金项目

新疆维吾尔自治区自然科学基金(2021D01B47) （2021D01B47）

新疆维吾尔自治区重点研发项目(KYZ04Y21100)。 （KYZ04Y21100）

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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