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二维γ-GeSe基异质结的电子特性研究

乔方卿銮 乔帅 张腊梅 商继敏 冯世全

原子与分子物理学报2025,Vol.42Issue(5):P.175-181,7.
原子与分子物理学报2025,Vol.42Issue(5):P.175-181,7.DOI:10.19855/j.1000-0364.2025.056007

二维γ-GeSe基异质结的电子特性研究

乔方卿銮 1乔帅 1张腊梅 1商继敏 1冯世全1

作者信息

  • 1. 郑州轻工业大学电子信息学院河南省磁电信息功能材料实验室,郑州450002
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摘要

关键词

二维γ-GeSe/范德瓦尔斯异质结/电子特性/能带排列

分类

数理科学

引用本文复制引用

乔方卿銮,乔帅,张腊梅,商继敏,冯世全..二维γ-GeSe基异质结的电子特性研究[J].原子与分子物理学报,2025,42(5):P.175-181,7.

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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