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硅掺杂对不同衬底的氮化铝薄膜的影响研究

王绪 杨发顺 熊倩 周柳含 马奎

原子与分子物理学报2025，Vol.42Issue(5)：P.50-56,7.
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原子与分子物理学报2025，Vol.42Issue(5)：P.50-56,7.DOI:10.19855/j.1000-0364.2025.052001

硅掺杂对不同衬底的氮化铝薄膜的影响研究

王绪 1杨发顺 2熊倩 1周柳含 1马奎2

作者信息

  • 1. 贵州大学电子科学系,贵阳550025
  • 2. 贵州大学电子科学系,贵阳550025 中国教育部半导体器件可靠性工程研究中心,贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025
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摘要

关键词

N型氮化铝/硅掺杂/磁控溅射/热扩散/衬底反扩散

分类

数理科学

引用本文复制引用

王绪,杨发顺,熊倩,周柳含,马奎..硅掺杂对不同衬底的氮化铝薄膜的影响研究[J].原子与分子物理学报,2025,42(5):P.50-56,7.

基金项目

半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-01)。 （ERCME-KFJJ2019-01）

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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