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Si掺杂对Ga_(2)O_(3)/BP异质结光电性能调控的第一性原理研究

李佳宏 郝增瑞 薛瑞鑫 阚红梅 关玉琴

原子与分子物理学报2025,Vol.42Issue(4):P.131-137,7.
原子与分子物理学报2025,Vol.42Issue(4):P.131-137,7.DOI:10.19855/j.1000-0364.2025.046002

Si掺杂对Ga_(2)O_(3)/BP异质结光电性能调控的第一性原理研究

李佳宏 1郝增瑞 1薛瑞鑫 1阚红梅 1关玉琴1

作者信息

  • 1. 内蒙古工业大学理学院,呼和浩特010010
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摘要

关键词

β-Ga_(2)O_(3)/BP异质结/缺陷/光电性质/第一性原理

分类

数理科学

引用本文复制引用

李佳宏,郝增瑞,薛瑞鑫,阚红梅,关玉琴..Si掺杂对Ga_(2)O_(3)/BP异质结光电性能调控的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2025,42(4):P.131-137,7.

基金项目

内蒙古自治区自然科学基金(2023LHMS01004) (2023LHMS01004)

内蒙古自治区教育厅自然科学项目(NJZY22376) (NJZY22376)

内蒙古工业大学教学改革项目(2022241)。 (2022241)

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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