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基于表面终端的增强型金刚石场效应晶体管研究现状

王玮 张明辉 王艳丰 陈根强 何适 王宏兴

真空电子技术Issue(5):P.29-46,53,19.
真空电子技术Issue(5):P.29-46,53,19.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2024.05.04

基于表面终端的增强型金刚石场效应晶体管研究现状

王玮 1张明辉 1王艳丰 1陈根强 1何适 1王宏兴1

作者信息

  • 1. 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,陕西西安710049 西安交通大学电子与信息学部电子科学与工程学院宽禁带半导体与量子器件研究所,陕西西安710049
  • 折叠

摘要

关键词

超宽禁带/金刚石/氢终端/增强型/场效应晶体管

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王玮,张明辉,王艳丰,陈根强,何适,王宏兴..基于表面终端的增强型金刚石场效应晶体管研究现状[J].真空电子技术,2024,(5):P.29-46,53,19.

基金项目

科技部重点研发计划(2022YFB3608603,2021YFB3602100) (2022YFB3608603,2021YFB3602100)

国家自然科学基金(U21A2073,62304173,62304175,61804122,62074127) (U21A2073,62304173,62304175,61804122,62074127)

陕西省自然科学基金(2021GY-223,2023-JC-QN-0718,No.2023-JC-QN-0694) (2021GY-223,2023-JC-QN-0718,No.2023-JC-QN-0694)

中国博士后科学基金(2022M712516,2020M683485)。 (2022M712516,2020M683485)

真空电子技术

1002-8935

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