真空电子技术Issue(5)：P.71-77,82,8.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2024.05.09
Al_(2)O_(3)/HfO_(2)双钝化层微波氢终端金刚石MOSFET特性研究
摘要
关键词
氢终端金刚石/漏极泄漏电流/金属-绝缘体-半导体电容模型/Al_(2)O_(3)/HfO_(2)双钝化层分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈志豪,延波,徐跃杭..Al_(2)O_(3)/HfO_(2)双钝化层微波氢终端金刚石MOSFET特性研究[J].真空电子技术,2024,(5):P.71-77,82,8.基金项目
国家自然科学基金(61922021)。 （61922021）
