一种具有带外抑制功能的2.4GHz高线性度射频前端接收芯片OA北大核心CSTPCD
A 2.4 GHz high linearity RF receiver front-end chip with out-of-band suppression
为了满足射频通信接收系统对高线性度与带外抑制的需求,提出了一种基于SOI(Silicon on Insulator)工艺设计的高线性度射频前端接收芯片,所设计的芯片集成了低噪声放大器、射频开关以及相关辅助电路.其中,低噪声放大器采用基于跨导非线性补偿技术的MGTR(Multiple Gated Transistor)结构设计,以减小MOS管的三阶跨导,并利用匹配中的谐振网络抑制了放大器中的二阶非线性,使低噪声放大器取得了高线性度性能,该谐振网络还…查看全部>>
To meet the requirements for high linearity and out-of-band signal suppression in the receive system of RF communication,a high linearity RF receiver front-end chip designed based on SOI(Silicon on Insulator)technology has been proposed.The chip integrates low noise amplifier,RF switch and auxiliary circuit.The low noise amplifier adopts MGTR(Multiple Gated Transistor)structure which is based on transconductance nonlinear compensation technology to eliminate…查看全部>>
胡泽宇;傅海鹏
天津大学微电子学院,天津,300072天津大学微电子学院,天津,300072
电子信息工程
低噪声放大器射频前端高线性度MGTR带外抑制
low noise amplifierRF front-endhigh linearityMGTRout-of-band suppression
《南京大学学报（自然科学版）》 2024 (5)
735-744,10
国家自然科学基金(62074110),国家重点研发计划(2018YFB2202500)
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