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双埋氧绝缘体上硅SRAM铀离子单粒子效应研究

王春林 高见头 刘凡宇 陈思远 王娟娟 王天琦 李博 倪涛

现代应用物理2024，Vol.15Issue(4)：P.40-46,58,8.
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现代应用物理2024，Vol.15Issue(4)：P.40-46,58,8.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2024.040406

双埋氧绝缘体上硅SRAM铀离子单粒子效应研究

王春林 1高见头 1刘凡宇 1陈思远 1王娟娟 1王天琦 2李博 1倪涛1

作者信息

  • 1. 中国科学院微电子研究所,北京100029 中国科学院硅器件技术重点实验室,北京100029
  • 2. 哈尔滨工业大学,哈尔滨150001
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摘要

关键词

绝缘体上硅/双埋氧层绝缘体上硅/静态随机存储器/单粒子效应/单粒子翻转

分类

能源科技

引用本文复制引用

王春林,高见头,刘凡宇,陈思远,王娟娟,王天琦,李博,倪涛..双埋氧绝缘体上硅SRAM铀离子单粒子效应研究[J].现代应用物理,2024,15(4):P.40-46,58,8.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(U2267210)。 （U2267210）

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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