电源学报2024，Vol.22Issue(S01)：P.254-260,7.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2024.S1.254
一种改进型4H-SiC超结UMOS器件
张跃 1黄润华 1柏松1
作者信息
- 1. 南京电子器件研究所宽禁带功率半导体器件国家重点实验室,南京210016
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摘要
关键词
4H-SiC/超结/UMOS分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张跃,黄润华,柏松..一种改进型4H-SiC超结UMOS器件[J].电源学报,2024,22(S01):P.254-260,7.
