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基于VO_(2)相变调控的Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结器件建模与仿真

冯云松 周长祺 王思雨 路远 金伟 商袁昕 李亚繁 陈友才

发光学报2024,Vol.45Issue(11):P.1883-1888,6.
发光学报2024,Vol.45Issue(11):P.1883-1888,6.DOI:10.37188/CJL.20240211

基于VO_(2)相变调控的Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结器件建模与仿真

冯云松 1周长祺 1王思雨 1路远 1金伟 1商袁昕 1李亚繁 1陈友才1

作者信息

  • 1. 国防科技大学电子对抗学院红外与低温等离子体安徽省重点实验室,安徽合肥230037 国防科技大学电子对抗学院脉冲功率激光技术国家重点实验室,安徽合肥230037 国防科技大学电子对抗学院先进激光技术安徽省实验室,安徽合肥230037
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摘要

关键词

Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结/COMSOL/VO_(2)相变/能级结构/仿真

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

冯云松,周长祺,王思雨,路远,金伟,商袁昕,李亚繁,陈友才..基于VO_(2)相变调控的Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结器件建模与仿真[J].发光学报,2024,45(11):P.1883-1888,6.

基金项目

脉冲功率激光技术国家重点实验室主任基金(SKL2022ZR05) (SKL2022ZR05)

国防科技大学科研计划项目(ZK22-26) (ZK22-26)

安徽省自然科学基金(1908085MA13)。 (1908085MA13)

发光学报

OA北大核心CSTPCD

1000-7032

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