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健那绿B平整剂对芯片互连钴的电沉积成核机理研究

王书鹏 薛彦鹏 范磊 潘盈卓 程洁 崔碧佳

表面技术2024,Vol.53Issue(24):P.178-187,10.
表面技术2024,Vol.53Issue(24):P.178-187,10.DOI:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2024.24.016

健那绿B平整剂对芯片互连钴的电沉积成核机理研究

王书鹏 1薛彦鹏 2范磊 1潘盈卓 1程洁 1崔碧佳1

作者信息

  • 1. 中国矿业大学(北京)机械与电气工程学院,北京100083
  • 2. 北京科技大学国家材料服役安全科学中心,北京100083
  • 折叠

摘要

关键词

/电子电镀/互连金属/集成电路/平整剂/薄膜技术

分类

化学化工

引用本文复制引用

王书鹏,薛彦鹏,范磊,潘盈卓,程洁,崔碧佳..健那绿B平整剂对芯片互连钴的电沉积成核机理研究[J].表面技术,2024,53(24):P.178-187,10.

基金项目

国家自然科学基金(52075037) (52075037)

北京市自然科学基金(3222017) (3222017)

清华大学高端装备界面科学与技术全国重点实验室开放基金(SKLTKF21A01)。 (SKLTKF21A01)

表面技术

OA北大核心CSTPCD

1001-3660

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