人工晶体学报2024，Vol.53Issue(12)：P.2104-2112,9.
高压下4H-SiC结构、电子和光学性质的理论研究
摘要
关键词
高压/4H-SiC/晶体结构/电子性质/光学性质/第一性原理计算分类
数理科学引用本文复制引用
张盼,庞国旺,尹伟,马亚斌,张钧洲,杨慧慧,秦彦军..高压下4H-SiC结构、电子和光学性质的理论研究[J].人工晶体学报,2024,53(12):P.2104-2112,9.基金项目
新疆维吾尔自治区自然科学基金(2023D01C220) （2023D01C220）
新疆理工学院科研项目(ZY202308) （ZY202308）
陕西省教育厅专项科研计划(22JK0423)。 （22JK0423）
