电源技术2024，Vol.48Issue(12)：P.2528-2531,4.DOI:10.3969/j.issn.1002-087X.2024.12.027
GaInP/GaAs/Ge太阳电池边缘Si_(3)N_(4)钝化研究
许军 1孙希鹏 1韩宇 1赵拓 1铁剑锐 1肖志斌1
作者信息
- 1. 天津恒电空间电源有限公司,天津300384
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摘要
关键词
PECVD/光刻/湿法刻蚀/侧截面/光电转换效率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
许军,孙希鹏,韩宇,赵拓,铁剑锐,肖志斌..GaInP/GaAs/Ge太阳电池边缘Si_(3)N_(4)钝化研究[J].电源技术,2024,48(12):P.2528-2531,4.
