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2 nm GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱发光的影响

甘露露 王海珠 张崇 赵书存 王祯胜 王登魁 马晓辉

发光学报2024，Vol.45Issue(12)：P.2011-2020,10.
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发光学报2024，Vol.45Issue(12)：P.2011-2020,10.DOI:10.37188/CJL.20240243

2 nm GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱发光的影响

甘露露 1王海珠 1张崇 2赵书存 1王祯胜 1王登魁 1马晓辉1

作者信息

  • 1. 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022 长春理工大学重庆研究院,重庆401135
  • 2. 陆军装备部驻长春地区第一军事代表室,吉林长春130000
  • 折叠

摘要

关键词

多量子阱/GaAs插入层/局域态/金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)

分类

数理科学

引用本文复制引用

甘露露,王海珠,张崇,赵书存,王祯胜,王登魁,马晓辉..2 nm GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱发光的影响[J].发光学报,2024,45(12):P.2011-2020,10.

基金项目

重庆自然科学基金(cstc2021jcyjmsxmX1060,CSTB2022NSCQ-MSX0401) （cstc2021jcyjmsxmX1060,CSTB2022NSCQ-MSX0401）

吉林省科技发展计划(20210101473JC)。 （20210101473JC）

发光学报

OA北大核心CSTPCD

1000-7032

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