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二次电子发射对环形加速器中的电子云密度影响

刘瑜冬 王鹏程 刘盛画 李开玮

真空电子技术Issue(6):P.36-41,53,7.
真空电子技术Issue(6):P.36-41,53,7.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2024.06.06

二次电子发射对环形加速器中的电子云密度影响

刘瑜冬 1王鹏程 1刘盛画 1李开玮2

作者信息

  • 1. 中国科学院高能物理研究所,北京100049
  • 2. 广东理工学院,广东肇庆526100
  • 折叠

摘要

关键词

电子云/二次电子/环形加速器/北京正负电子对撞机升级改造工程/中国散裂中子源

分类

数理科学

引用本文复制引用

刘瑜冬,王鹏程,刘盛画,李开玮..二次电子发射对环形加速器中的电子云密度影响[J].真空电子技术,2024,(6):P.36-41,53,7.

基金项目

国家自然基金(U1832132,12175249)。 (U1832132,12175249)

真空电子技术

1002-8935

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