真空电子技术Issue(6):P.47-53,7.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2024.06.08
漏极结构对平面型纳米沟道真空三极管性能影响的模拟研究
甘露 1吴胜利 1唐文华 1李洁1
作者信息
- 1. 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,陕西西安710049
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摘要
关键词
纳米沟道三极管/模拟仿真/场发射特性/圆弧型漏极分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
甘露,吴胜利,唐文华,李洁..漏极结构对平面型纳米沟道真空三极管性能影响的模拟研究[J].真空电子技术,2024,(6):P.47-53,7.