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高质量铟掺杂氧化镓单晶浮区法生长研究

李宪珂 张超逸 黄林 孙鹏 刘波 徐军 唐慧丽

无机材料学报2024,Vol.39Issue(12):P.1384-1390,7.
无机材料学报2024,Vol.39Issue(12):P.1384-1390,7.DOI:10.15541/jim20240241

高质量铟掺杂氧化镓单晶浮区法生长研究

李宪珂 1张超逸 1黄林 1孙鹏 1刘波 1徐军 1唐慧丽1

作者信息

  • 1. 同济大学物理科学与工程学院,先进微结构材料教育部重点实验室,上海200092
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摘要

关键词

铟掺杂氧化镓/光学浮区法/晶体生长/气泡缺陷

分类

化学化工

引用本文复制引用

李宪珂,张超逸,黄林,孙鹏,刘波,徐军,唐慧丽..高质量铟掺杂氧化镓单晶浮区法生长研究[J].无机材料学报,2024,39(12):P.1384-1390,7.

基金项目

国家自然科学基金(12375181) (12375181)

上海市科技计划项目(23511102302) (23511102302)

中央高校基本科研业务费专项基金(22120220626)。 (22120220626)

无机材料学报

OA北大核心CSTPCD

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