大连理工大学学报2025，Vol.65Issue(1)：P.105-110,6.DOI:10.7511/dllgxb202501013
AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取
摘要
关键词
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管/器件参数/有效栅长/有效栅宽分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
吴淇暄,张贺秋,朱江,宁思源,代晓,王子坤,梁红伟..AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取[J].大连理工大学学报,2025,65(1):P.105-110,6.基金项目
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45) （DUT20RC(3）
大连市科技创新基金资助项目(2023JJ12GX013)。 （2023JJ12GX013）
