AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取OA北大核心
有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了两组AlGaN/GaN HEMT器件,这两组器件的源漏间距为80μm,栅源间距为10μm.其中一组器件固定栅宽为400μm,栅长分别为10、20、30、40、50、60μm;另一组器件固定栅长为40μm,栅宽分别为200、300、400、500、600、800μm.通过研究源漏之间的总电阻随栅长和栅宽变化规律,获得栅长与有效栅长的差值为0.48989μm,栅宽与有效栅宽的差值为-11.12191μm.
吴淇暄;张贺秋;朱江;宁思源;代晓;王子坤;梁红伟
大连理工大学集成电路学院,辽宁大连116024大连理工大学集成电路学院,辽宁大连116024大连理工大学集成电路学院,辽宁大连116024大连理工大学集成电路学院,辽宁大连116024大连理工大学集成电路学院,辽宁大连116024大连理工大学集成电路学院,辽宁大连116024大连理工大学集成电路学院,辽宁大连116024
电子信息工程
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件参数有效栅长有效栅宽
《大连理工大学学报》 2025 (1)
P.105-110,6
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45)大连市科技创新基金资助项目(2023JJ12GX013)。
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