太赫兹科学与电子信息学报2024，Vol.22Issue(12)：P.1332-1338,1363,8.DOI:10.11805/TKYDA2024260
基于InP基HEMT器件的D波段倍频源设计
宋树田 1刘军2
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第十五研究所,北京100083
- 2. 中国电子科技集团公司第五十四研究所,北京100041
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摘要
关键词
D波段(110~170 GHz)/磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)/倍频源/单片集成/太赫兹源分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
宋树田,刘军..基于InP基HEMT器件的D波段倍频源设计[J].太赫兹科学与电子信息学报,2024,22(12):P.1332-1338,1363,8.
